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半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀
簡要描述：

半導體設備XHEMIS TX-3000理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀
半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀

TXRF光譜儀
超快速金屬污染測繪

兼容最大 300mm 晶圓

  • 產(chǎn)品型號：XHEMIS TX-3000
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 更新時間：2024-09-29
  • 訪  問  量：144

詳細介紹

半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀

半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀


XHEMIS TX-3000 概述

典型元素的檢測限 (LLD)

檢測限LLD（E10原子/cm2）鋁鐵鎳銅
發(fā)射光譜140.060.060.09

測量時間：1000秒  


XHEMIS TX-3000 規(guī)格

方法全內(nèi)反射X射線熒光分析（TXRF）
目的快速無損測量痕量元素表面污染（Na - U）
將繪圖速度提高約 3 倍
E9 原子/cm2 的檢測極限
技術高靈敏度金屬污染分析
主要部件3 探測器配置
高功率 W 對陰極 X 射線源（9 kW 旋轉(zhuǎn)對陰極）
針對輕元素、過渡元素和重元素優(yōu)化的 3 種激發(fā)能量
XYθ 樣品臺
2 個 FOUP 裝載端口
特征全晶圓映射 (SWEEPING-TXRF)、零邊緣排除 (ZEE-TXRF)
選項背面分析 (BAC-TXRF)、GEM300 軟件、E84/OHT 支持
機身尺寸1280（寬）×3750（深）×2040（高）
（不含監(jiān)視器和信號塔）
測量結(jié)果定量結(jié)果、光譜圖、彩色等高線圖、映射表




























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